આકૃતિ ફોટોકરંટ $I$ વિરુદ્ધ લાગુ કરેલ વોલ્ટેજ $(V)$ નો આલેખ દર્શાવે છે. ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા કેટલી છે?

પ્રકાશ તરંગ સાથે સંકળાયેલ ચુંબકીય ક્ષેત્ર ઉગમબિંદુ પર $B = B_0 [\sin(3.14 \times 10^7 ct) + \sin(6.28 \times 10^7 ct)]$ દ્વારા આપવામાં આવે છે. જો આ પ્રકાશ $4.7 \ eV$ નું વર્ક ફંક્શન ધરાવતી સિલ્વર પ્લેટ પર પડે,તો ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા કેટલી હશે? ($eV$ માં)

એક ચોક્કસ ધાતુ માટે, જ્યારે $\lambda$ તરંગલંબાઇ ધરાવતો એકવર્ણી પ્રકાશ આપાત થાય છે, ત્યારે ફોટોઇલેક્ટ્રોન માટે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $3V_0$ છે. જ્યારે તે જ ધાતુ પર $2\lambda$ તરંગલંબાઇ ધરાવતો પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે છે, ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V_0$ થાય છે. આપેલ ધાતુ માટે ફોટોઇલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન માટેની થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઇ $\alpha\lambda$ છે. $\alpha$ નું મૂલ્ય . . . . . . છે.

જ્યારે $hv$ ઉર્જા ધરાવતો ફોટોન $E_0$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી એલ્યુમિનિયમ પ્લેટ પર આપાત થાય છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિ ઉર્જા $K$ છે. જો આપાત વિકિરણની આવૃત્તિ બમણી કરવામાં આવે,તો ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિ ઉર્જા કેટલી થશે?

આપાત વિકિરણની વિવિધ આવૃત્તિઓ $v_{1}, v_{2}$ અને $v_{3}$ માટે કલેક્ટર પોટેન્શિયલ સાથે ફોટો-કરંટમાં થતો ફેરફાર આલેખમાં દર્શાવ્યા મુજબ છે. તો:

આલ્બર્ટ આઈન્સ્ટાઈનને તેમના કયા કાર્ય માટે ભૌતિકશાસ્ત્રમાં નોબેલ પુરસ્કાર આપવામાં આવ્યો હતો?